【制備或來源】可由鈦和氮在1200℃直接反應(yīng)制得。涂層可由四氯化鈦、氮氣、氫氣混合氣體通過氣相沉積法形成。二氮化二鈦由金屬鈦在900~1000℃的氮或氨中加熱而得。四氮三鈦由四氯化鈦在1000℃的氨中加熱而得
氮化鋁靶材,共價鍵化合物,是原子晶體,屬類金剛石氮化物、六方晶系,纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu),無毒,呈白色或灰白色
有報告指現(xiàn)今大部分研究都在開發(fā)一種以半導體(氮化鎵或合金鋁氮化鎵)為基礎(chǔ)且運行於紫外線的發(fā)光二極管,而光的波長為250納米。在2006年5月有報告指一個無效率的二極管可發(fā)出波長為210納米的光波[1]。以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上,能隙允許一些波長為大約200納米的波通過。但在商業(yè)上實行時,需克服不少困難。氮化鋁應(yīng)用於光電工程,包括在光學儲存介面及電子基質(zhì)作誘電層,在高的導熱性下作晶片載體,以及作用途
由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。
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