東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)高純金屬材料，蒸發(fā)鍍膜材料以及濺射靶材的高新技術(shù)企業(yè)應(yīng)用開發(fā)的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸發(fā)材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中高級(jí)專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，具有很強(qiáng)的蒸發(fā)材料開發(fā)能力。公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名電子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較高的性價(jià)比，成功發(fā)替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶**。
鎳鉻靶NiCr廠家直銷
東莞市鼎偉靶材有限公司
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公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：
一、真空鍍膜材料
1．高純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
高純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
金屬膜電阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
金屬膜電阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．高純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化T(不是聯(lián)系方式)釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

面板顯示產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的支柱，屬于戰(zhàn)略性基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。中國(guó)是全球電子產(chǎn)品消費(fèi)大國(guó)和制造大國(guó)，對(duì)面板的消費(fèi)一直保持高速增長(zhǎng)，并位居世界首位。2013年，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的終端電子產(chǎn)品對(duì)液晶顯示面板的需求高達(dá)9300萬(wàn)平方米，約占全球的62%。與此同時(shí)，工信部數(shù)據(jù)顯示，2013年以液晶面板為代表的平板顯示生產(chǎn)能力將達(dá)5000萬(wàn)平方米，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)1070億元，同比增長(zhǎng)44.6%。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)液晶面板業(yè)總投資規(guī)模(含建成、在建和規(guī)劃)已超過(guò)3000億元。未來(lái)5年，中國(guó)大陸將有15條6代以上的高世代線面板廠建成并投入運(yùn)作。

【原創(chuàng)內(nèi)容】
其是采用金屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重新使用。如果是采用其他帖合劑（包括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背靶表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶需要進(jìn)行高溫帖合的條件下，無(wú)氧化銅容易被氧化和發(fā)生翹曲,所以會(huì)使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無(wú)法與無(wú)氧銅匹配，同樣也需要使用金平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置上。四、短路及密封性檢查靶材完成安裝后需要對(duì)整個(gè)陰極進(jìn)行短路檢查及密封性檢查，建議通過(guò)使用電阻儀搖表的方式對(duì)陰極是否存在短是無(wú)氧銅，因?yàn)闊o(wú)氧銅具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng)，無(wú)氧銅背靶可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如和背靶避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中發(fā)生損壞。一、濺射準(zhǔn)備保持真空腔體尤其是濺射系統(tǒng)潔凈是非常重要的。任何由潤(rùn)滑油和灰塵以及前期鍍膜所形成的殘留物會(huì)收集水氣及其他污染物，濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時(shí)/平方厘米。金屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個(gè)合理的功率加大速率為能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶提供的已使用過(guò)的背靶后，我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對(duì)背靶進(jìn)行完全檢查，檢查的重點(diǎn)包括背靶的平整度，完整性及密封性等。我們會(huì)通知